买卖IC网 >> 产品目录 >> CMPTA42E 两极晶体管 - BJT NPN Enhanced High Voltage datasheet RF/IF 和 RFID
型号:

CMPTA42E

库存数量:40344
制造商:Central Semiconductor
描述:两极晶体管 - BJT NPN Enhanced High Voltage
RoHS:
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT NPN Enhanced High Voltage
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制造商 Central Semiconductor
配置 Single
晶体管极性 NPN
集电极—基极电压 VCBO 350 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 350 V
发射极 - 基极电压 VEBO 6 V
集电极—射极饱和电压 350 V
最大直流电集电极电流 0.5 A
增益带宽产品fT 75 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 50 at 1 mA at 10 V
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 SOT-23
相关资料
供应商
公司名
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北京元坤伟业科技有限公司 010-62104931 刘先生
北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
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北京耐芯威科技有限公司 010-62962871 刘先生
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深圳市大合云芯科技有限公司 13590332260 何生
深圳市弈芯科技有限公司 19537950412 何先生
  • CMPTA42E 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 0.484 0.484
    100 0.322 32.2
    500 0.266 133
    1,000 0.1988 198.8
    3,000 0.178 534
    5,000 0 0